Thursday, 13 July 2017

Toshiba Memory Corporation Develops World's First 3D Flash Memory with TSV Technology


Achieves high speed data input and output, low power consumption, large capacity
TOKYO--(BUSINESS WIRE/ME NewsWire)-- Toshiba Memory Corporation, the world leader in memory solutions, today announced development of the world’s first[1] BiCS FLASH™ three-dimensional (3D) flash memory[2] utilizing Through Silicon Via (TSV)[3] technology with 3-bit-per-cell (triple-level cell, TLC) technology. Shipments of prototypes for development purposes started in June, and product samples are scheduled for release in the second half of 2017. The prototype of this groundbreaking device will be showcased at the 2017 Flash Memory Summit in Santa Clara, California, United States, from August 7-10.
Devices fabricated with TSV technology have vertical electrodes and vias that pass through silicon dies to provide connections, an architecture that realizes high speed data input and output while reducing power consumption. Real-world performance has been proven previously, with the introduction of Toshiba’s 2D NAND Flash memory [4].
Combining a 48-layer 3D flash process and TSV technology has allowed Toshiba Memory Corporation to successfully increase product programming bandwidth while achieving low power consumption. The power efficiency[5] of a single package is approximately twice[6] that of the same generation BiCS FLASH™ memory fabricated with wire-bonding technology. TSV BiCS FLASH™ also enables a 1-terabyte (TB) device with a 16-die stacked architecture in a single package.
Toshiba Memory Corporation will commercialize BiCS FLASH™ with TSV technology to provide an ideal solution in respect for storage applications requiring low latency, high bandwidth and high IOPS[7]/Watt, including high-end enterprise SSDs.
General Specifications (Prototype)
Package Type


NAND Dual x8 BGA-152
Storage Capacity

512 GB

1 TB
Number of Stacks

8
16
External Dimension


W

14 mm
14 mm

D

18 mm
18 mm


H

1.35 mm

1.85 mm
Interface

Toggle DDR
Interface Max. Speed


1066Mbps


Note:
[1] Source: Toshiba Memory Corporation, as of July 11, 2017.
[2] A structure stacking Flash memory cells vertically on a silicon substrate to realize significant density improvements over planar NAND Flash memory, where cells are formed on the silicon substrate.
[3] Through Silicon Via: the technology which has vertical electrodes and vias to pass through the silicon dies for connection in a single package.
[4] “Toshiba Develops World’s First 16-die Stacked NAND Flash Memory with TSV Technology”
http://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2015/08/memory-20150806-1.html
[5] The rate of data transfer rate per power unit. (MB/s/W)
[6] Compared with Toshiba Memory Corporation’s current products.
[7] Input Output per Second: The number of data inputs and outputs for processing through an I/O port per second. A higher value represents better performance.

توشيبا ميموري كوربورايشن تقوم بتطوير ذاكرة فلاش ثلاثية الأبعاد الأولى في العالم باستخدام تقنية "تي إس في"

تحقق سرعة عالية لمدخلات ومخرجات البيانات واستهلاك منخفض للطاقة وسعة كبيرة

طوكيو-(بزنيس واير/"إم إي نيوز واير"): أعلنت اليوم شركة "توشيبا ميموري كوربورايشن"، وهي الشركة الرائدة عالمياً في مجال حلول الذاكرة، عن قيامها بتطوير ذاكرة "بيكس فلاش" ثلاثية الأبعاد [2] الأولى في العالم [1] باستخدام تقنية المرور عبر وصلات السيليكون ("تي إس في") [3] مع تقنيّة 3 بِت للخليّة (خلية ثلاثية المستويات "تي إل سي"). بدأت عملية شحن النماذج الأولية لأغراض التطوير خلال شهر يونيو، ومن المقرر إصدار عينات من المنتجات في النصف الثاني من عام 2017. وسيتم عرض النموذج الأولي لهذا الجهاز الثوري في قمة "ذاكرة فلاش لعام 2017" التي ستقام في سانتا كلارا، كاليفورنيا، الولايات المتحدة، من 7 ولغاية 10 أغسطس.

وتتميز الأجهزة المصنعة بواسطة تقنية "تي إس في" بأقطاب كهربائية عمودية وثقوب توصيل تمرّ عبر قوالب السيليكون لتوفير التوصيلات، وهي هيكلية تحقق سرعة عالية لمدخلات ومخرجات البيانات واستهلاكاً منخفضاً للطاقة. وتم سابقاً إثبات الأداء في الحياة العملية، مع تقديم ذواكر تخزين فلاش بتقنية "ناند" ثنائية الأبعاد [4].

وقد سمح الجمع ما بين العمليات المتعلقة بذواكر فلاش ثلاثية الأبعاد ذات 48 طبقة وتقنية "تي إس في" لشركة "توشيبا ميموري كوربورايشن" بالنجاح في زيادة عرض النطاق لبرمجة المنتج مع تحقيق استهلاك منخفض للطاقة في الوقت نفسه. تجدر الإشارة إلى أن كفاءة الطاقة [5] للحزمة الواحدة تبلغ حوالي ضعف [6] تلك الخاصة بذاكرة "بيكس فلاش" من نفس الجيل المصنعة باستخدام تقنية ربط الأسلاك. كما تسمح  ذاكرة "بيكس فلاش" بتقنية "تي إس في" بتشغيل جهاز تبلغ سعته 1 تيرابايت مع هيكلية من 16 قالباً مكدساً في حزمة واحدة.

ستقوم شركة "توشيبا ميموري كوربورايشن" بتسويق ذاكرة "بيكس فلاش" بتقنية "تي إس في" من أجل توفير الحل المثالي فيما يتعلق بتطبيقات التخزين التي تتطلب كموناً منخفضاً ونطاق ترددي عال ومعدل عال من عمليات المدخلات والمخرجات في الثانية [7] لكل واط، بما في ذلك محركات الأقراص ذات الحالة الصلبة عالية الجودة الخاصة بالمؤسسات.

المواصفات العامة (النموذج الأولي)
نوع الحزمة


ناند ثنائية الأبعاد x 8 "بي جي إيه"-152
سعة التخزين

512  جيجابيت

1  تيرابيت
عدد الطبقات

8
16
المقياس الخارجي


العرض

14 ميليمتر
14 ميليمتر

العمق

18 ميليمتر
18 ميليمتر


الارتفاع

1.35 ميليمتر

1.85 ميليمتر
الواجهة

"توجل دي دي آر"
سرعة الواجهة القصوى


1066ميجابايت في الثانية


=