Achieves high speed data input and output, low power consumption,
large capacity
TOKYO--(BUSINESS
WIRE/ME NewsWire)-- Toshiba Memory Corporation, the world leader in memory solutions, today
announced development of the world’s first[1] BiCS FLASH™
three-dimensional (3D) flash memory[2] utilizing Through
Silicon Via (TSV)[3] technology with 3-bit-per-cell
(triple-level cell, TLC) technology. Shipments of prototypes for development
purposes started in June, and product samples are scheduled for release in the
second half of 2017. The prototype of this groundbreaking device will be
showcased at the 2017 Flash Memory Summit in Santa Clara, California, United
States, from August 7-10.
Devices fabricated with TSV technology have
vertical electrodes and vias that pass through silicon dies to provide
connections, an architecture that realizes high speed data input and output
while reducing power consumption. Real-world performance has been proven
previously, with the introduction of Toshiba’s 2D NAND Flash memory [4].
Combining a 48-layer 3D flash process and TSV
technology has allowed Toshiba Memory Corporation to successfully increase
product programming bandwidth while achieving low power consumption. The power
efficiency[5] of a single package is approximately twice[6] that
of the same generation BiCS FLASH™ memory fabricated with wire-bonding
technology. TSV BiCS FLASH™ also enables a 1-terabyte (TB) device with a 16-die
stacked architecture in a single package.
Toshiba Memory Corporation will commercialize
BiCS FLASH™ with TSV technology to provide an ideal solution in respect for
storage applications requiring low latency, high bandwidth and high IOPS[7]/Watt,
including high-end enterprise SSDs.
|
General Specifications (Prototype)
|
||||||||
|
Package
Type
|
|
|
NAND
Dual x8 BGA-152
|
|||||
|
Storage
Capacity
|
|
512
GB
|
|
1
TB
|
||||
|
Number
of Stacks
|
|
8
|
16
|
|||||
|
External
Dimension
|
|
|
W
|
|
14
mm
|
14
mm
|
||
|
|
D
|
|
18
mm
|
18
mm
|
||||
|
|
|
H
|
|
1.35
mm
|
|
1.85
mm
|
||
|
Interface
|
|
Toggle
DDR
|
||||||
|
Interface
Max. Speed
|
|
|
1066Mbps
|
|||||
|
|
||||||||
Note:
[1] Source: Toshiba Memory Corporation, as of July 11, 2017.
[2] A structure stacking Flash memory cells vertically on a silicon substrate to realize significant density improvements over planar NAND Flash memory, where cells are formed on the silicon substrate.
[3] Through Silicon Via: the technology which has vertical electrodes and vias to pass through the silicon dies for connection in a single package.
[4] “Toshiba Develops World’s First 16-die Stacked NAND Flash Memory with TSV Technology”
http://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2015/08/memory-20150806-1.html
[5] The rate of data transfer rate per power unit. (MB/s/W)
[6] Compared with Toshiba Memory Corporation’s current products.
[7] Input Output per Second: The number of data inputs and outputs for processing through an I/O port per second. A higher value represents better performance.
[1] Source: Toshiba Memory Corporation, as of July 11, 2017.
[2] A structure stacking Flash memory cells vertically on a silicon substrate to realize significant density improvements over planar NAND Flash memory, where cells are formed on the silicon substrate.
[3] Through Silicon Via: the technology which has vertical electrodes and vias to pass through the silicon dies for connection in a single package.
[4] “Toshiba Develops World’s First 16-die Stacked NAND Flash Memory with TSV Technology”
http://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2015/08/memory-20150806-1.html
[5] The rate of data transfer rate per power unit. (MB/s/W)
[6] Compared with Toshiba Memory Corporation’s current products.
[7] Input Output per Second: The number of data inputs and outputs for processing through an I/O port per second. A higher value represents better performance.
توشيبا
ميموري كوربورايشن تقوم بتطوير ذاكرة فلاش
ثلاثية الأبعاد الأولى في العالم باستخدام تقنية "تي إس في"
تحقق سرعة عالية لمدخلات ومخرجات البيانات واستهلاك
منخفض للطاقة وسعة كبيرة
طوكيو-(بزنيس
واير/"إم إي نيوز واير"): أعلنت اليوم شركة "توشيبا
ميموري كوربورايشن"، وهي الشركة الرائدة عالمياً في
مجال حلول الذاكرة، عن قيامها بتطوير ذاكرة "بيكس فلاش" ثلاثية الأبعاد [2]
الأولى في العالم [1] باستخدام تقنية المرور عبر وصلات السيليكون
("تي إس في") [3] مع تقنيّة 3 بِت للخليّة (خلية ثلاثية
المستويات "تي إل سي"). بدأت عملية شحن النماذج الأولية لأغراض التطوير
خلال شهر يونيو، ومن المقرر إصدار عينات من المنتجات في النصف الثاني من عام 2017.
وسيتم عرض النموذج الأولي لهذا الجهاز الثوري في قمة "ذاكرة فلاش لعام
2017" التي ستقام في سانتا كلارا، كاليفورنيا، الولايات المتحدة، من 7 ولغاية
10 أغسطس.
وتتميز الأجهزة المصنعة بواسطة تقنية "تي إس
في" بأقطاب كهربائية عمودية وثقوب توصيل تمرّ عبر قوالب السيليكون لتوفير
التوصيلات، وهي هيكلية تحقق سرعة عالية لمدخلات ومخرجات البيانات واستهلاكاً
منخفضاً للطاقة. وتم سابقاً إثبات الأداء في الحياة العملية، مع تقديم ذواكر تخزين فلاش بتقنية "ناند" ثنائية
الأبعاد [4].
وقد سمح الجمع ما بين العمليات
المتعلقة بذواكر فلاش ثلاثية الأبعاد ذات 48 طبقة وتقنية "تي إس
في" لشركة "توشيبا ميموري كوربورايشن" بالنجاح في زيادة عرض النطاق
لبرمجة المنتج مع تحقيق استهلاك منخفض للطاقة في الوقت نفسه. تجدر الإشارة إلى أن
كفاءة الطاقة [5] للحزمة الواحدة تبلغ حوالي ضعف [6] تلك
الخاصة بذاكرة "بيكس فلاش" من نفس الجيل المصنعة باستخدام تقنية ربط
الأسلاك. كما تسمح ذاكرة "بيكس
فلاش" بتقنية "تي إس في" بتشغيل جهاز تبلغ سعته 1 تيرابايت مع
هيكلية من 16 قالباً مكدساً في حزمة واحدة.
ستقوم شركة "توشيبا
ميموري كوربورايشن" بتسويق ذاكرة "بيكس فلاش" بتقنية "تي إس
في" من أجل توفير الحل المثالي فيما يتعلق بتطبيقات التخزين التي تتطلب
كموناً منخفضاً ونطاق ترددي عال ومعدل عال من عمليات المدخلات والمخرجات في
الثانية [7] لكل واط، بما في ذلك محركات الأقراص ذات الحالة الصلبة
عالية الجودة الخاصة بالمؤسسات.
|
المواصفات العامة (النموذج الأولي)
|
||||||||
|
نوع الحزمة
|
|
|
ناند ثنائية الأبعاد x 8 "بي جي إيه"-152
|
|||||
|
سعة التخزين
|
|
512 جيجابيت
|
|
1 تيرابيت
|
||||
|
عدد الطبقات
|
|
8
|
16
|
|||||
|
المقياس الخارجي
|
|
|
العرض
|
|
14 ميليمتر
|
14 ميليمتر
|
||
|
|
العمق
|
|
18 ميليمتر
|
18 ميليمتر
|
||||
|
|
|
الارتفاع
|
|
1.35 ميليمتر
|
|
1.85 ميليمتر
|
||
|
الواجهة
|
|
"توجل دي دي آر"
|
||||||
|
سرعة الواجهة القصوى
|
|
|
1066ميجابايت في الثانية
|
|||||
|
|
||||||||
